Tongguang Co., Ltd. a finalisé un financement de série F de 1,5 milliard de yuans pour accélérer la configuration des substrats monocristallins en carbure de silicium

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) a annoncé la finalisation du financement de série F. L'ampleur de ce cycle de financement est de 1,5 milliard de yuans. Il est financé par le Fonds de capital-risque de nouveaux matériaux de Shenzhen pour la transformation et la modernisation de la fabrication (appelé « Fonds de capital-risque de nouveaux matériaux de Shenzhen ») et l'investissement industriel de développement coordonné Pékin-Tianjin-Hebei. Le Fonds (appelé « Fonds d'investissement industriel Pékin-Tianjin-Hebei ») a dirigé l'investissement et a été investi conjointement par Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. (« High-tech Venture Capital ») et Hebei. Centre d'investissement industriel et de développement de nouvelles industries (« Hebei Industrial Investment »), d'une valeur de plus de 10 milliards de yuans. En avril de cette année, l'échantillon de cristal de carbure de silicium conducteur de 8 pouces de Tongguang a été publié. Il devrait être produit en petits lots d'ici la fin de l'année et pourra être appliqué dans le domaine des véhicules électriques pour améliorer considérablement la durée de vie des batteries.