concluiu 1,5 bilhão de yuans em financiamento da Série F para acelerar o layout de substratos de cristal único de carboneto de silício

(hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) anunciou a conclusão do financiamento da Série F. A escala desta rodada de financiamento é de 1,5 bilhão de yuans. Ela é financiada pelo Fundo de Novos Materiais de Capital de Risco de Shenzhen para a Transformação e Atualização da Manufatura (referido como "Fundo de Novos Materiais de Capital de Risco de Shenzhen") e pelo Investimento Industrial de Desenvolvimento Coordenado Pequim-Tianjin-Hebei. Fundo (referido como "Fundo de Investimento Industrial Pequim-Tianjin-Hebei") liderou o investimento e foi investido conjuntamente pela Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. Centro de Investimento Industrial e Desenvolvimento de Novas Indústrias ("Investimento Industrial de Hebei"), com uma avaliação de mais de 10 bilhões de yuans. Em abril deste ano, a amostra de cristal condutor de carboneto de silício de 8 polegadas da Tongguang foi lançada. Espera-se que atinja a produção de pequenos lotes até o final do ano e possa ser aplicada no campo de veículos elétricos para melhorar significativamente a vida útil da bateria.