Tongguang Co., Ltd. lauk 1,5 milljörðum júana í F-röð fjármögnun til að flýta fyrir skipulagi kísilkarbíðs einkristalla undirlags.

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) tilkynnti um lok F-fjármögnunar. Umfang þessarar fjármögnunarlotu er 1,5 milljarðar júana. Sjóðurinn (nefndur "Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") leiddi fjárfestinguna og var fjárfest í sameiningu af Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. ("High-tech Venture Capital") og Hebei. Industrial Investment and New Industry Development Center ("Hebei Industrial Investment"), með verðmat yfir 10 milljarða júana. Í apríl á þessu ári var 8 tommu leiðandi kísilkarbíð kristalsýni Tongguang gefið út. Búist er við að það nái lítilli framleiðslulotu í lok ársins og er hægt að nota það á sviði rafknúinna ökutækja til að bæta endingu rafhlöðunnar til muna.