Tongguang Co., Ltd. huet 1,5 Milliarden Yuan an der Serie F Finanzéierung ofgeschloss fir de Layout vu Siliziumkarbid Eenkristallsubstrater ze beschleunegen

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) huet d'Réalisatioun vun der Serie F Finanzéierung ugekënnegt. D'Skala vun dëser Finanzéierungsronn ass 1,5 Milliarden Yuan. Fonds (genannt "Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") gefouert d'Investitioun, a gouf zesumme vun Baoding High-Tech Zone Venture Capital Co., Ltd ("High-Tech Venture Capital") an Hebei investéiert. Industrial Investment and New Industry Development Center ("Hebei Industrial Investment"), mat enger Bewäertung vun iwwer 10 Milliarden Yuan. Am Abrëll dëst Joer gouf Tongguang's 8-Zoll konduktiv Siliciumkarbid-Kristallprobe verëffentlecht.