Tongguang Co., Ltd. a finalizat finanțarea cu 1,5 miliarde de yuani din seria F pentru a accelera aspectul substraturilor cu un singur cristal din carbură de siliciu

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) a anunțat finalizarea finanțării seria F. Amploarea acestei runde de finanțare este de 1,5 miliarde de yuani. Este finanțată de Shenzhen Venture Capital New Materials Fund for Manufacturing Transformation and Upgrading (numit „Shenzhen Venture Capital New Materials Fund”) și Beijing-Tianjin-Hebei Coordinated Development Industrial Investment. Fondul (denumit „Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund”) a condus investiția și a fost investit în comun de Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. („High-tech Venture Capital”) și Hebei. Centrul de Investiții Industriale și Dezvoltare a Noii Industrie („Hebei Industrial Investment”), cu o evaluare de peste 10 miliarde de yuani. În aprilie a acestui an, eșantionul de cristal de carbură de siliciu conductiv de 8 inci de la Tongguang a fost lansat. Se așteaptă să obțină o producție mică în loturi până la sfârșitul anului și poate fi aplicat în domeniul vehiculelor electrice pentru a îmbunătăți semnificativ durata de viață a bateriei.