Тонггуанг Цо., Лтд. је завршио 1,5 милијарди јуана у финансирању серије Ф како би убрзао распоред монокристалних супстрата од силицијум карбида

Хебеи Тонггуанг Семицондуцтор Цо., Лтд. (хебеи Тонггуанг Семицондуцтор Цо., Лтд.) је најавио завршетак финансирања серије Ф. Обим овог круга финансирања је 1,5 милијарди јуана. Финансирају га Схензхен Вентуре Цапитал Нев Материалс Фунд фор Мануфацтуринг Трансформатион анд Упграде (који се назива „Схензхен Вентуре Цапитал Нев Материалс Фунд“) и Пекинг-Тиањин-Хебеи Цоординатед Девелопмент Индустриал Инвестмент. Фонд (који се назива „Инвестициони фонд Пекинг-Тиањин-Хебеи“) је предводио инвестицију, а заједнички су га уложили Баодинг Хигх-тецх Зоне Вентуре Цапитал Цо., Лтд. („Хигх-тецх Вентуре Цапитал“) и Хебеи). Центар за индустријска улагања и развој нове индустрије („Хебеи Индустриал Инвестмент“), са проценом од преко 10 милијарди јуана. У априлу ове године, Тонггуангов проводни узорак кристала силицијум карбида је пуштен у продају. Очекује се да ће до краја године постићи малу серијску производњу и може се применити у области електричних возила како би се значајно побољшао век трајања батерије.