Tongguang Co., Ltd. je zaključil financiranje serije F v vrednosti 1,5 milijarde juanov za pospešitev postavitve monokristalnih substratov iz silicijevega karbida

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) je napovedal zaključek financiranja serije F. Obseg tega kroga financiranja je 1,5 milijarde juanov. Financirata ga Shenzhen Venture Capital New Materials Fund for Manufacturing Transformation and Upgrading (v nadaljnjem besedilu: Shenzhen Venture Capital New Materials Fund) in Peking-Tianjin-Hebei Coordinated Development Industrial Investment. Sklad (imenovan »industrijski investicijski sklad Peking-Tianjin«) je vodil naložbo in sta ga skupaj vložila Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. (»visokotehnološki tvegani kapital«) ​​in Hebei). Center za industrijske naložbe in razvoj nove industrije ("Hebei Industrial Investment"), z vrednostjo več kot 10 milijard juanov. Aprila letos je bil izdan 8-palčni vzorec prevodnega silicijevega karbida. Pričakuje se, da bo do konca leta dosegel majhno serijsko proizvodnjo in ga bo mogoče uporabiti na področju električnih vozil za močno izboljšanje življenjske dobe baterije.