Tongguang Co., Ltd. užbaigė 1,5 milijardo juanių F serijos finansavimą, kad paspartintų silicio karbido monokristalų substratų išdėstymą

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) paskelbė apie F serijos finansavimo užbaigimą. Šio finansavimo mastas yra 1,5 milijardo juanių. Jį finansuoja Šendženo rizikos kapitalo naujų medžiagų fondas, skirtas gamybos transformacijai ir modernizavimui (vadinamas „Šenženo rizikos kapitalo naujų medžiagų fondu“) ir Pekino-Tianjino ir Hebėjaus koordinuojamos plėtros pramonės investicijomis. Investicijai vadovavo fondas (vadinamas Pekino-Tianjino-Hebei pramonės investicijų fondu), kurį kartu investavo Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. (toliau – Aukštųjų technologijų rizikos kapitalas) ir Hebei. Pramonės investicijų ir naujos pramonės plėtros centras ("Hebei Industrial Investment"), kurio vertė viršija 10 mlrd. juanių. Šių metų balandį buvo išleistas Tongguang 8 colių laidus silicio karbido kristalų pavyzdys. Tikimasi, kad iki metų pabaigos jis bus gaminamas nedidelėmis partijomis ir gali būti naudojamas elektra varomų transporto priemonių srityje, siekiant žymiai pagerinti akumuliatoriaus veikimo laiką.