Tongguang Co., Ltd. lõpetas 1,5 miljardi jüaani F-seeria rahastamise, et kiirendada ränikarbiidi monokristall-substraatide paigutust

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) teatas F-seeria rahastamise lõpuleviimisest. Selle rahastamisvooru suurus on 1,5 miljardit jüaani. Seda rahastavad Shenzheni riskikapitali uute materjalide fond tootmise ümberkujundamiseks ja uuendamiseks (edaspidi "Shenzheni riskikapitali uute materjalide fond") ja Pekingi-Tianjini-Hebei koordineeritud arendustööstusinvesteeringud. Fond (edaspidi "Peking-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") juhtis investeeringut ning selle investeerisid ühiselt Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd ("Kõrgtehnoloogiline riskikapital") ja Hebei. Tööstusinvesteeringute ja uue tööstuse arenduskeskus ("Hebei Industrial Investment"), mille väärtus on üle 10 miljardi jüaani. Selle aasta aprillis lasti turule Tongguangi 8-tolline juhtiv ränikarbiidi kristall. See peaks saavutama väikese partii tootmise aasta lõpuks ja seda saab kasutada elektrisõidukite valdkonnas, et oluliselt parandada aku kasutusaega.