Tongguang Co., Ltd. silisium karbid monokristal substratlarının planını sürətləndirmək üçün F Seriyasının maliyyələşdirilməsində 1,5 milyard yuan tamamladı.

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) F Seriyasının maliyyələşdirilməsinin tamamlandığını elan etdi. Bu maliyyələşdirmə raundunun miqyası 1,5 milyard yuan təşkil edir. O, istehsalın transformasiyası və təkmilləşdirilməsi üçün Shenzhen Venture Capital New Materials Fund ("Shenzhen Venture Capital New Materials Fund" kimi istinad edilir) və Pekin-Tianjin-Hebei Koordinasiyalı İnkişaf Sənaye İnvestisiyaları tərəfindən maliyyələşdirilir. Fond ("Pekin-Tyanjin-Hebey Sənaye İnvestisiya Fondu" kimi istinad edilir) investisiyaya rəhbərlik edib və Baoding High-Tech Zone Venture Capital Co., Ltd. ("Yüksək texnologiyalı Venture Capital") və Hebei tərəfindən birgə sərmayə qoyulub. Sənaye İnvestisiyaları və Yeni Sənaye İnkişafı Mərkəzi ("Hebei Sənaye İnvestisiyaları"), 10 milyard yuandan çox qiymətləndirmə ilə. Bu ilin aprel ayında Tongguang-ın 8 düymlük keçirici silisium karbid kristal nümunəsi buraxıldı, ilin sonuna qədər kiçik partiya istehsalına nail olacağı gözlənilir və batareyanın ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırmaq üçün elektrik nəqliyyat vasitələri sahəsində tətbiq oluna bilər.