Tongguang Co., Ltd.-მ დაასრულა 1,5 მილიარდი იუანი F სერიის დაფინანსება სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატების განლაგების დასაჩქარებლად.

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) გამოაცხადა F სერიის დაფინანსების დასრულება. დაფინანსების ამ რაუნდის მასშტაბი არის 1,5 მილიარდი იუანი. მას აფინანსებენ შენჟენის საწარმოს ახალი მასალების ფონდი წარმოების ტრანსფორმაციისა და განახლებისთვის (მოხსენიებული, როგორც „შენჟენ სარისკო კაპიტალის ახალი მასალების ფონდი“) და პეკინი-ტიანჯინი-ჰებეის კოორდინირებული განვითარების ინდუსტრიული ინვესტიცია. ფონდი (მოხსენიებული, როგორც "Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") ხელმძღვანელობდა ინვესტიციას და ერთობლივად განახორციელეს ინვესტიცია Baoding High-Tech Zone Venture Capital Co., Ltd.-მ და Hebei-მ). სამრეწველო ინვესტიციების და ახალი ინდუსტრიის განვითარების ცენტრი ("Hebei Industrial Investment"), რომლის შეფასება 10 მილიარდ იუანზე მეტია. ამ წლის აპრილში გამოვიდა Tongguang-ის 8-დიუმიანი გამტარი სილიციუმის კარბიდის კრისტალური ნიმუში, რომელიც მოსალოდნელია წლის ბოლომდე მიაღწიოს მცირე სერიის წარმოებას და შეიძლება გამოყენებულ იქნას ელექტრო მანქანების სფეროში, რათა მნიშვნელოვნად გაუმჯობესდეს ბატარეის ხანგრძლივობა.