株洲中車時代半導體有限公司自主研發8吋IGBT晶片

株洲中車時代半導體有限公司自2014年起自主研發8吋IGBT晶片，實現了國產IGBT晶片支援的電壓範圍650V～6500V全覆蓋。該公司已成為國際少數掌握高功率閘流管、IGCT、IGBT及SiC元件及其組件技術的IDM模式企業代表。