Kerui Semiconductor IGBT -projektin vuotuinen tuotantoarvo saavuttaa 80 miljoonaa yuania ja tuotantokapasiteetti kasvaa 25 %.

Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., Ltd. nopeuttaa ensimmäisen vaiheen projektinsa rakentamista. Sen odotetaan saavuttavan 80 miljoonan yuanin vuotuisen tuotantoarvon ja lisäävän tuotantokapasiteettiaan 25 % sen jälkeen, kun se on otettu käyttöön. Kerui Semiconductor aloitti tehopuolijohdeteollisuuden ketjun kaksinkertaistamissuunnitelman toteuttamisen tänä vuonna edistääkseen kolmannen sukupolven puolijohteiden ja muiden voimalaitteiden pakkaus- ja testaustuotantolinjojen päivittämistä.