El valor de producción anual del proyecto IGBT de Kerui Semiconductor alcanza los 80 millones de yuanes y la capacidad de producción aumenta en un 25%.

Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., Ltd. está acelerando la construcción de su proyecto de primera fase. Se espera que alcance un valor de producción anual de 80 millones de yuanes y aumente su capacidad de producción en un 25% una vez que entre en producción. Kerui Semiconductor comenzó a implementar el plan de duplicación de la cadena de la industria de semiconductores de potencia este año para promover la actualización de las líneas de producción de prueba y embalaje de semiconductores de tercera generación y otros dispositivos de potencia.