Kerui Semiconductor IGBT projekta gada produkcijas vērtība sasniedz 80 miljonus juaņu, un ražošanas jauda palielinās par 25%.

Uzņēmums Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., Ltd. paātrina sava pirmā posma projekta būvniecību. Paredzams, ka tā sasniegs gada produkcijas vērtību 80 miljonu juaņu apmērā un palielinās ražošanas jaudu par 25 %. Kerui Semiconductor šogad sāka īstenot enerģijas pusvadītāju nozares ķēdes dubultošanas plānu, lai veicinātu trešās paaudzes pusvadītāju un citu barošanas ierīču iepakojuma un testēšanas ražošanas līniju jaunināšanu.