Kerui Semiconductor IGBT projekto metinė produkcijos vertė siekia 80 milijonų juanių, o gamybos pajėgumai padidėja 25%.

„Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., Ltd.“ spartina savo pirmojo etapo projekto statybą. Tikimasi, kad jo metinė produkcijos vertė sieks 80 mln. juanių ir padidins gamybos pajėgumus 25 %. „Kerui Semiconductor“ šiais metais pradėjo įgyvendinti galios puslaidininkių pramonės grandinės padvigubinimo planą, siekdama skatinti trečios kartos puslaidininkių ir kitų galios įrenginių pakavimo ir bandymo gamybos linijų atnaujinimą.