Kerui Semiconductor IGBT projekti aastane toodangu väärtus ulatub 80 miljoni jüaanini ja tootmisvõimsus suureneb 25%

Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., Ltd. kiirendab oma esimese etapi projekti ehitamist. Selle aastane toodangu väärtus on 80 miljonit jüaani ja suurendab tootmisvõimsust 25% võrra. Kerui Semiconductor asus sel aastal ellu viima jõupooljuhtide tööstuse keti kahekordistamisplaani, et edendada kolmanda põlvkonna pooljuhtide ja muude toiteseadmete pakendamis- ja testimisliinide uuendamist.