ارزش خروجی سالانه پروژه IGBT نیمه هادی Kerui به 80 میلیون یوان می رسد و ظرفیت تولید 25٪ افزایش می یابد.

Hubei Kerui Semiconductor Technology، با مسئولیت محدود در حال تسریع ساخت پروژه فاز اول خود است که انتظار می رود به ارزش خروجی سالانه 80 میلیون یوان دست یابد و پس از وارد شدن به تولید، ظرفیت تولید خود را 25 درصد افزایش دهد. Kerui Semiconductor اجرای طرح دوبرابری زنجیره ای صنعت نیمه هادی قدرت را در سال جاری برای ارتقاء ارتقاء خطوط تولید بسته بندی و آزمایش نیمه هادی های نسل سوم و سایر دستگاه های قدرت آغاز کرد.