Kerui Semiconductor IGBT პროექტის წლიური გამომავალი ღირებულება 80 მილიონ იუანს აღწევს, ხოლო საწარმოო სიმძლავრე იზრდება 25%-ით.

Hubei Kerui Semiconductor Technology Co., შპს აჩქარებს თავისი პირველი ფაზის პროექტის მშენებლობას, მოსალოდნელია, რომ მიაღწიოს 80 მილიონი იუანის წლიურ ღირებულებას და გაზარდოს მისი წარმოების სიმძლავრე 25%-ით წარმოებაში შესვლის შემდეგ. Kerui Semiconductor-მა წელს დაიწყო ელექტრული ნახევარგამტარების ინდუსტრიის ჯაჭვის გაორმაგების გეგმის განხორციელება, რათა ხელი შეუწყოს მესამე თაობის ნახევარგამტარების და სხვა ენერგეტიკული მოწყობილობების შეფუთვისა და ტესტირების საწარმოო ხაზების განახლებას.