Die erste Phase des Jingyitong Semiconductor IGBT-Projekts ist begrenzt und der jährliche Produktionswert wird voraussichtlich 1 Milliarde Yuan erreichen.

Die erste Phase des IGBT-Modulmaterial-, Verpackungs- und Testmodul-Industrieparkprojekts von Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. wurde erfolgreich abgeschlossen. Die Gesamtinvestition des Projekts beträgt 1,2 Milliarden Yuan und der jährliche Produktionswert wird voraussichtlich 1 Milliarde Yuan erreichen. Das Projekt befindet sich im Baima Electronic Information Industrial Park in der High-Tech-Zone Neijiang und wird voraussichtlich im April nächsten Jahres abgeschlossen und geliefert.