La première phase du projet Jingyitong Semiconductor IGBT est plafonnée et la valeur de la production annuelle devrait atteindre 1 milliard de yuans.

La première phase du projet de parc industriel de matériaux pour modules IGBT et de modules d'emballage et de test de Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. a été clôturée avec succès. L'investissement total du projet est de 1,2 milliard de yuans et la valeur de la production annuelle devrait atteindre 1 milliard de yuans. Le projet est situé dans le parc industriel d'information électronique de Baima, dans la zone de haute technologie de Neijiang, et devrait être achevé et livré en avril de l'année prochaine.