A primeira fase do projeto Jingyitong Semiconductor IGBT é limitada e o valor da produção anual deverá atingir 1 bilhão de yuans.

A primeira fase do projeto do parque industrial de material do módulo IGBT e módulo de embalagem e teste da Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. O investimento total do projeto é de 1,2 bilhão de yuans e o valor da produção anual deverá atingir 1 bilhão de yuans. O projeto está localizado no Parque Industrial de Informação Eletrônica de Baima, Zona de Alta Tecnologia de Neijiang, e deverá ser concluído e entregue em abril do próximo ano.