Jingyitong Semiconductor IGBT -projektin ensimmäinen vaihe on rajattu ja vuotuisen tuotannon arvon odotetaan nousevan 1 miljardiin yuania.

Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd.:n IGBT-moduulimateriaalien sekä pakkaus- ja testausmoduulien teollisuuspuistoprojektin ensimmäinen vaihe on saatu päätökseen. Projektin kokonaisinvestointi on 1,2 miljardia yuania, ja vuotuisen tuotannon arvon odotetaan nousevan 1 miljardiin juaniin. Projekti sijaitsee Baima Electronic Information Industrial Parkissa, Neijiang High-tech Zone -alueella, ja sen odotetaan valmistuvan ja toimitettavan ensi vuoden huhtikuussa.