Déi éischt Phas vum Jingyitong Semiconductor IGBT Projet ass ofgeschloss an den alljährlechen Ausgangswäert gëtt erwaart 1 Milliard Yuan z'erreechen.

Déi éischt Phas vum IGBT Modul Material a Verpackungs- an Testmodul Industriepark Projet vun Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. gouf erfollegräich ofgeschloss. D'Gesamtinvestitioun vum Projet ass 1,2 Milliarde Yuan, an den alljährlechen Ausgangswäert gëtt erwaart 1 Milliard Yuan z'erreechen. De Projet läit am Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-Tech Zone, a gëtt erwaart am Abrëll d'nächst Joer ofgeschloss a geliwwert ze ginn.