Tá teorainn leis an gcéad chéim de thionscadal Jingyitong Semiconductor IGBT agus táthar ag súil go mbainfidh an luach aschuir bhliantúil 1 billiún yuan.

Cuireadh teorainn rathúil ar an gcéad chéim de thionscadal pháirc tionscail ábhar modúl IGBT agus modúl pacáistithe agus tástála de chuid Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. Is é 1.2 billiún yuan infheistíocht iomlán an tionscadail, agus táthar ag súil go mbainfidh an luach aschuir bhliantúil 1 billiún yuan. Tá an tionscadal lonnaithe i bPáirc Tionscail Faisnéise Leictreonach Baima, Crios Ardteicneolaíochta Neijiang, agus táthar ag súil go gcuirfear i gcrích agus go seachadfar é i mí Aibreáin na bliana seo chugainn.