Η πρώτη φάση του έργου Jingyitong Semiconductor IGBT έχει ανώτατο όριο και η ετήσια αξία παραγωγής αναμένεται να φτάσει το 1 δισεκατομμύριο γιουάν.

Η πρώτη φάση του έργου της μονάδας υλικού IGBT και της μονάδας συσκευασίας και δοκιμής του βιομηχανικού πάρκου της Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. ολοκληρώθηκε με επιτυχία. Η συνολική επένδυση του έργου είναι 1,2 δισεκατομμύρια γιουάν και η ετήσια αξία παραγωγής αναμένεται να φτάσει το 1 δισεκατομμύριο γιουάν. Το έργο βρίσκεται στο Βιομηχανικό Πάρκο Ηλεκτρονικών Πληροφοριών Baima, στη Ζώνη υψηλής τεχνολογίας Neijiang, και αναμένεται να ολοκληρωθεί και να παραδοθεί τον Απρίλιο του επόμενου έτους.