Den første fasen av Jingyitong Semiconductor IGBT-prosjektet er begrenset og den årlige produksjonsverdien forventes å nå 1 milliard yuan.

Den første fasen av IGBT-modulmateriale- og emballasje- og testmodulens industriparkprosjekt til Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. har blitt avkortet. Den totale investeringen til prosjektet er 1,2 milliarder yuan, og den årlige produksjonsverdien forventes å nå 1 milliard yuan. Prosjektet ligger i Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-tech Zone, og forventes ferdigstilt og levert i april neste år.