Перший етап проекту Jingyitong Semiconductor IGBT завершено, і очікується, що річний обсяг виробництва досягне 1 мільярда юанів.

Перший етап проекту індустріального парку виробництва модулів IGBT, упаковки та тестування модулів Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. успішно завершився. Загальні інвестиції в проект становлять 1,2 мільярда юанів, а річна вартість виробництва досягне 1 мільярда юанів. Проект розташований у Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-tech Zone, і очікується, що він буде завершений і доставлений у квітні наступного року.