Faza e parë e projektit Jingyitong Semiconductor IGBT është e kufizuar dhe vlera e prodhimit vjetor pritet të arrijë në 1 miliard juanë.

Faza e parë e projektit të parkut industrial të materialit të modulit IGBT dhe modulit të paketimit dhe testimit të Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. është mbyllur me sukses. Investimi total i projektit është 1.2 miliardë juanë dhe vlera e prodhimit vjetor pritet të arrijë në 1 miliard juanë. Projekti ndodhet në Parkun Industrial të Informacionit Elektronik Baima, Zona e teknologjisë së lartë Neijiang dhe pritet të përfundojë dhe të dorëzohet në prill të vitit të ardhshëm.