تم الانتهاء من المرحلة الأولى من مشروع Jingyitong Semiconductor IGBT ومن المتوقع أن تصل قيمة الإنتاج السنوي إلى 1 مليار يوان.

تم الانتهاء بنجاح من المرحلة الأولى من مشروع المجمع الصناعي لوحدة المواد والتعبئة والاختبار لوحدة IGBT لشركة Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd.. ويبلغ إجمالي استثمار المشروع 1.2 مليار يوان، ومن المتوقع أن تصل قيمة الإنتاج السنوي إلى مليار يوان. يقع المشروع في منطقة بايما الصناعية للمعلومات الإلكترونية، منطقة نيجيانج للتكنولوجيا الفائقة، ومن المتوقع أن يتم الانتهاء منه وتسليمه في أبريل من العام المقبل.