Jingyitong Semiconductor IGBT პროექტის პირველი ეტაპი დახურულია და წლიური გამომუშავების ღირებულება სავარაუდოდ 1 მილიარდ იუანს მიაღწევს.

შპს Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co.-ის IGBT მოდულის მასალისა და შეფუთვისა და ტესტირების მოდულის პროექტის პირველი ეტაპი წარმატებით დასრულდა. პროექტის ჯამური ინვესტიცია შეადგენს 1,2 მილიარდ იუანს, ხოლო წლიური გამოშვების ღირებულება სავარაუდოდ 1 მილიარდ იუანს მიაღწევს. პროექტი მდებარეობს Baima Electronic Information Industrial Park-ში, Neijiang-ის მაღალტექნოლოგიურ ზონაში და სავარაუდოდ დასრულდება და მიწოდებული იქნება მომავალი წლის აპრილში.