Peteîha fase proyecto Jingyitong Semiconductor IGBT oime capa ha valor de producción anual oñeha'ãrõ oguahë 1.000 millones de yuanes.

Peteîha fase material módulo IGBT ha proyecto parque industrial módulo de envasado ha prueba Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. oñemotenonde porã. Inversión total proyecto-pe ha'e 1.200 millones de yuanes, ha oñeha'ãrõ valor anual producción oguahëva 1.000 millones de yuanes. Ko proyecto oime Parque Industrial de Información Electrónica Baima, Zona Alta tecnología Neijiang, ha oñeha'ãrõ oñemohu'ã ha oñeme'ë abril oúvape.