Проект базы по производству новых полупроводниковых компонентов в Нанкине, Чанцзин

Проект базы по производству новых полупроводниковых компонентов Нанкина в Чанцзине расположен в зоне экономического развития Пукоу, с общим объемом инвестиций 950 миллионов юаней и общей площадью строительства 129 000 квадратных метров. Он в основном производит дискретные полупроводниковые устройства поверхностного монтажа и силовые устройства. Ожидается, что после выхода на полную мощность он будет производить 20 миллиардов устройств ежегодно с годовой производительностью 1,2 миллиарда юаней, годовыми налоговыми поступлениями в 50 миллионов юаней и созданием рабочих мест для 1200 человек.