Rong Silicon Semiconductor's 1200V 40mΩ SiC MOSFET huet d'AEC-Q101 Automotive Grad Bewäertung passéiert
AEC-Q
Si
H3TRB
MOSFET
Pro
Semi
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Zouverlässegkeet
Bewäertung
rad
SiC
Automotive Grad
EC
2024-12-24 18:21
71
Den 1200V 40mΩ SiC MOSFET Produkt onofhängeg vum Rongsi Semiconductor entwéckelt huet den AEC-Q101 Automotive Grad Test an d'HV-H3TRB strikt Zouverlässegkeet Bewäertung .
