O MOSFET de carboneto de silício RongSi Semiconductor passou na avaliação de grau automotivo AEC-Q101

O 1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT desenvolvido de forma independente pela Rongsi Semiconductor passou com sucesso no teste de classe automotiva AEC-Q101 e na rigorosa avaliação de confiabilidade HV-H3TRB e foi entregue em produção em massa. Esta série de produtos possui excelente estabilidade e confiabilidade e pode atender às necessidades de aplicação de novos veículos de energia, inversores fotovoltaicos e outros campos.