RongSi Semiconductor MOSFET cu carbură de siliciu a trecut de evaluarea calității auto AEC-Q101

MOSFET-ul 1200V 40mΩ SiC NC1M120C40HT dezvoltat independent de Rongsi Semiconductor a trecut cu succes testul de calitate auto AEC-Q101 și evaluarea strictă a fiabilității HV-H3TRB și a fost livrat în producție de masă. Această serie de produse are o stabilitate și fiabilitate excelente și poate satisface nevoile de aplicare ale vehiculelor cu energie nouă, invertoare fotovoltaice și alte domenii.