A RongSi félvezető szilícium-karbid MOSFET megfelelt az AEC-Q101 autóipari minősítésnek

96
A Rongsi Semiconductor által önállóan kifejlesztett, 1200 V-os 40 mΩ-os SiC MOSFET NC1M120C40HT sikeresen megfelelt az AEC-Q101 autóipari minőségi teszten és a HV-H3TRB szigorú megbízhatósági vizsgálaton, és tömeggyártásban szállították. Ez a terméksorozat kiváló stabilitással és megbízhatósággal rendelkezik, és megfelel az új energiahordozók, fotovoltaikus inverterek és más területek alkalmazási igényeinek.