RongSi Semiconductor סיליקון קרביד MOSFET עבר הערכת דרגת רכב AEC-Q101
1200V
AEC-Q
אחרים
H3TRB
ו
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
יי
ייצור המוני
היי
רכבי אנרגיה חדשים
יישום
SiC
EC
2024-12-24 18:21
96
1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT שפותח באופן עצמאי על ידי Rong Silicon Semiconductor עבר בהצלחה את מבחן דרגת הרכב AEC-Q101 ואת הערכת האמינות הקפדנית HV-H3TRB, והועבר בייצור המוני. לסדרת מוצרים זו יציבות ואמינות מצוינות והיא יכולה לענות על צורכי היישום של רכבי אנרגיה חדשים, ממירים פוטו-וולטאיים ותחומים אחרים.
