山東省菏沢4/6インチ第三世代化合物半導体プロジェクト発足

菏沢市牡丹区武田鎮は、総投資額35億元の4/6インチ第三世代化合物半導体窒化ガリウムGaNと炭化ケイ素SiCプロジェクトが2月26日に開始されたと発表した。このプロジェクトは 2 段階で実施され、第 1 段階では主にガリウムヒ素半導体面発光レーザー VCSEL 製品の試作が開始される予定です。