Shandong Heze 4/6-Zoll-Verbindungshalbleiterprojekt der dritten Generation gestartet

2024-12-24 18:26
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Wudian Town, Mudan District, Heze City gab bekannt, dass das 4/6-Zoll-Verbindungshalbleiter-Galliumnitrid-GaN- und Siliziumkarbid-SiC-Projekt der dritten Generation mit einer Gesamtinvestition von 3,5 Milliarden Yuan am 26. Februar begonnen hat. Das Projekt wird in zwei Phasen umgesetzt. In der ersten Phase werden hauptsächlich oberflächenemittierende Galliumarsenid-Laser-VCSEL-Produkte hergestellt.