Shandong Heze 4/6-tommer tredje generations sammensatte halvlederprojekt lanceret

Wudian Town, Mudan District, Heze City meddelte, at 4/6-tommers tredje generations sammensatte halvleder galliumnitrid GaN og siliciumcarbid SiC-projekt med en samlet investering på 3,5 milliarder yuan er startet den 26. februar. Projektet er implementeret i to faser. Den første fase producerer hovedsageligt galliumarsenid-halvleder-laser-VCSEL-produkter. Forsøgsproduktion forventes at være i juli 2025.