Lanzamiento del proyecto de semiconductores compuestos de tercera generación de Shandong Heze de 4/6 de pulgada

La ciudad de Wudian, distrito de Mudan, ciudad de Heze, anunció que el proyecto SiC de carburo de silicio y nitruro de galio GaN semiconductor compuesto de tercera generación de 4/6 de pulgada con una inversión total de 3.500 millones de yuanes comenzó el 26 de febrero. El proyecto se implementa en dos fases. La primera fase produce principalmente productos VCSEL láser semiconductores de emisión de superficie de arseniuro de galio. Se espera que la producción de prueba sea en julio de 2025.