Shandong Heze 4/6-Zoll Drëtt Generatioun Compound Semiconductor Projet lancéiert

Wudian Town, Mudan Distrikt, Heze City huet ugekënnegt datt den 4/6-Zoll Drëtt-Generatioun Compound Hallefleiter Galliumnitrid GaN a Siliziumkarbid SiC Projet mat enger Gesamtinvestitioun vun 3,5 Milliarden Yuan de 26. Februar ugefaang huet. De Projet gëtt an zwou Phasen ëmgesat. Déi éischt Phas produzéiert haaptsächlech Galliumarsenid Hallefleit Uewerflächemittéierend Laser VCSEL Produkter, an d'Proufproduktioun gëtt erwaart am Juli 2025.