Shandong Heze 4/6-tommers tredjegenerasjons sammensatte halvlederprosjekt lansert
Saida Semiconductor
galliumnitrid
2025
De
Pro
De
VCSEL
tomme
produksjon
start
sak
Heze
laser
halvleder
Prøveproduksjon
SiC
Prøveproduksjon
prosjekt
2024-12-24 18:26
98
Wudian Town, Mudan District, Heze City kunngjorde at 4/6-tommers tredjegenerasjons sammensatte halvleder galliumnitrid GaN og silisiumkarbid SiC-prosjektet med en total investering på 3,5 milliarder yuan startet 26. februar. Prosjektet er implementert i to faser. Den første fasen produserer hovedsakelig galliumarsenid-overflate-emitterende laser-VCSEL-produkter. Prøveproduksjon forventes å være i juli 2025.
