В провинции Шаньдун Хэцзэ запущен проект по созданию 4/6-дюймового составного полупроводника третьего поколения

Город Удянь, район Мудань, город Хэцзэ объявил, что 26 февраля стартовал проект 4/6-дюймового составного полупроводникового нитрида галлия GaN и карбида кремния SiC третьего поколения с общим объемом инвестиций 3,5 миллиарда юаней. Проект реализуется в два этапа. На первом этапе в основном производятся полупроводниковые лазеры поверхностного излучения на основе арсенида галлия. Ожидается, что пробное производство начнется в июле 2025 года.