Покренут пројекат комбинованог полупроводника треће генерације Схандонг Хезе од 4/6 инча

Град Вудиан, округ Мудан, град Хезе саопштио је да је 26. фебруара почео пројекат треће генерације комбинованог полупроводника галијум нитрида ГаН и силицијум карбида СиЦ од 4/6 инча са укупном инвестицијом од 3,5 милијарди јуана. Пројекат се спроводи у две фазе. У првој фази се углавном производи површински емитујући ласерски производи од галијум-арсенида.