Розпочато проект 4/6-дюймового композитного напівпровідника третього покоління Shandong Heze

Місто Вудянь, район Мудан, місто Хезе, оголосило, що 26 лютого розпочався проект із 4/6-дюймового композитного напівпровідника третього покоління з нітриду галію GaN і карбіду кремнію з загальним обсягом інвестицій у 3,5 мільярда юанів. Очікується, що перший етап виробництва напівпровідникових лазерів з арсенідом галію розпочнеться в липні 2025 року.