Proyek semikonduktor majemuk generasi ketiga Shandong Heze 4/6 inci diluncurkan

Kota Wudian, Distrik Mudan, Kota Heze mengumumkan bahwa proyek semikonduktor galium nitrida GaN dan silikon karbida SiC generasi ketiga berukuran 4/6 inci dengan total investasi 3,5 miliar yuan telah dimulai pada 26 Februari. Proyek ini dilaksanakan dalam dua tahap. Tahap pertama terutama memproduksi produk VCSEL laser pemancar permukaan semikonduktor galium arsenida.