Projek semikonduktor kompaun generasi ketiga Shandong Heze 4/6 inci dilancarkan

98
Pekan Wudian, Daerah Mudan, Bandar Heze mengumumkan bahawa projek GaN semikonduktor kompaun ketiga kompaun gallium nitride GaN dan silikon karbida SiC dengan jumlah pelaburan sebanyak 3.5 bilion yuan telah dimulakan pada 26 Februari. Projek ini dilaksanakan dalam dua fasa Fasa pertama terutamanya menghasilkan produk VCSEL pemancar permukaan laser gallium arsenide dijangka pada Julai 2025.