پروژه نیمه هادی ترکیبی 4/6 اینچی شاندونگ هزه راه اندازی شد

شهر وودیان، منطقه مودان، شهر هزه اعلام کرد که پروژه نسل سوم ترکیبی نیمه هادی گالیوم نیترید GaN و کاربید سیلیکون SiC 4/6 اینچی با سرمایه گذاری کل 3.5 میلیارد یوان در 26 فوریه آغاز شده است. این پروژه در دو فاز اجرا می‌شود. فاز اول عمدتاً محصولات لیزری نیمه‌رسانای سطحی گالیم VCSEL را تولید می‌کند.